真性GaAs量子井戸におけるスピン緩和 励起子局在の影響

MUNOZ L; PEREZ E; VINA L; PLOOG K

文献

J-GLOBAL ID：200902139905391020 整理番号：95A0286548

真性GaAs量子井戸におけるスピン緩和励起子局在の影響

Spin relaxation in intrinsic GaAs quantum wells: Influence of excitonic localization.

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巻： 51 号： 7 ページ： 4247-4257 発行年： 1995年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs量子井戸における励起子スピン緩和を,ピコ秒時間分解光...

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半導体のルミネセンス , 励起子

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真性GaAs量子井戸におけるスピン緩和 励起子局在の影響

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