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J-GLOBAL ID：200902140509131412   整理番号：97A0416538

III-V半導体における原子間力顕微鏡によるナノ構造パターン

Nanostructure patterns written in III-V semiconductors by an atomic force microscope.

著者 (2件)： MAGNO R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  BENNETT B R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 14  ページ： 1855-1857  発行年： 1997年04月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsの上にInAsとGaSb薄膜を逐次堆積させ,原子間力...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子間力顕微鏡 ,  ナノ構造