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J-GLOBAL ID：200902140586186246   整理番号：00A0078115

インダクタンス負荷バイアス法によるRSFQ回路の消費電力の軽減

Reduction of power consumption of RSFQ circuits by inductance-load biasing.
著者 (2件)：
YOSHIKAWA N

YOSHIKAWA N について

(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)

Yokohama National Univ., Yokohama, JPN について

, 
KATO Y

KATO Y について

(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)

Yokohama National Univ., Yokohama, JPN について


資料名：
Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)

Superconductor Science and Technology について


巻： 12  号： 11  ページ： 918-920  発行年： 1999年11月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記方法を提案した。主な考えは,電流源が大きな磁束を伴う大き...
シソーラス用語：
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*超伝導素子

超伝導素子 について

,...
準シソーラス用語：
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SFQ【超伝導】

SFQ【超伝導】 について


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分類 (2件)：
分類
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Josephson接合・素子 
(BM04043E)

Josephson接合・素子 について

,  論理回路 
(NC05070B)

論理回路 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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インダクタンス

インダクタンス について

, 
RSFQ

RSFQ について

, 
消費電力

消費電力 について


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