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J-GLOBAL ID：200902140764114580   整理番号：97A0501334

スマートカット 水素注入とウエハ貼合せに基づいた新しいシリコンオン絶縁体技術

Smart-Cut: A New Silicon On Insulator Material Technology Based on Hydrogen Implantation and Wafer Bonding.

著者 (3件)： BRUEL M (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ASPAR B (CEA Grenoble, Grenoble, FRA) ,  AUBERTON-HERVE A-J (SOITEC, Grenoble, FRA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 3B  ページ： 1636-1641  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SIMOX(注入酸素による分離)及びBESO(貼合せとエッチ...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (19件)：

• 1) A. J. Auberton-Hervé, J. M. Lamure, T. Barge, M. Bruel, B. Aspar and J. L. Pelloie: Semicond. Int. 11 (1995) 97.
• 2) J. P. Colinge: Proc. Int. Electron. Device Meet. (1994) p. 817.
• 3) J. B. Lasky: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 78
• 4) W. P. Maszara: Proc. Fourth Int. Symp. on Silicon on Insulator Technology and Devices, ed. D. N. Schmidt, Vol. 90-6, The Electrochem. Soc. Series, Pennington (1990) p. 199.
• 5) P. M. Mumola, G. J. Gardopee, P. J. Clapis, C. B. Zarowin, L. D. Bolliger and A. M. Ledger: Proc. 1992 IEEE Int. SOI Conf., Florida (1992) p. 152.

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  注入 ,  ウエハ ,  貼合せ ,  絶縁体