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J-GLOBAL ID：200902140850427141   整理番号：03A0088413

高κ誘電体と金属のゲートを有する400°C以下のゲルマニウムMOSFET技術

A Sub-400°C Germanium MOSFET Technology with High-κ Dielectric and Metal Gate.

著者 (6件)： CHUI C O (Stanford Univ., CA, USA) ,  KIM H (Stanford Univ., CA, USA) ,  CHI D (Stanford Univ., CA, USA) ,  TRIPLETT B B (Stanford Univ., CA, USA) ,  MCINTYRE P C (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 437-440  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...
準シソーラス用語： 金属ゲート ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高 ,  誘電体 ,  ゲート ,  ゲルマニウム ,  MOSFET