ULSI用の窒化タンタル障壁層の有機金属化学蒸着

TSAI M H; SUN S C; LEE C P; CHIU H T; TSAI C E; CHUANG S H; WU S C

文献

J-GLOBAL ID：200902140861705135 整理番号：96A0168953

ULSI用の窒化タンタル障壁層の有機金属化学蒸着

Metal-organic chemical vapor deposition of tantalum nitride barrier layers for ULSI applications.

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資料名：
巻： 270 号： 1/2 ページ： 531-536 発行年： 1995年12月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標記低圧MOCVDで低抵抗のTaN膜を蒸着し,表面形態とステ...

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ダイオード , その他の無機化合物の薄膜

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