水素化物気相エピタクシー法による高品質GaNの二段階成長

TAVERNIER P R; ETZKORN E V; WANG Y; CLARKE D R

文献

J-GLOBAL ID：200902141458732960 整理番号：00A1061589

水素化物気相エピタクシー法による高品質GaNの二段階成長

Two-step growth of high-quality GaN by hydride vapor-phase epitaxy.

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資料名：
巻： 77 号： 12 ページ： 1804-1806 発行年： 2000年09月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

水素化物気相エピタクシー法(HVPE)で成長させたGaNの低...

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半導体薄膜

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