SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル  第1部:過渡的効果

IELMINI D; SPINELLI A S; RIGAMONTI M A; LACAITA A L

文献

J-GLOBAL ID：200902141869273311 整理番号：00A0721452

SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル第1部:過渡的効果

Modeling of SILC Based on Electron and Hole Tunneling-Part I: Transient Effects.

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巻： 47 号： 6 ページ： 1258-1265 発行年： 2000年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

酸化薄膜中の定常的,過渡的なリーク電流を詳細に記述するモデル...

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酸化物薄膜 , 半導体集積回路

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SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル 第1部:過渡的効果

SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル第1部:過渡的効果