Siシャドーマスクを用いる平面内膜厚制御MOVPEで成長させた1.3μmビームエキスパンダ集積化レーザダイオードの広い温度範囲での動作

KOMORI M M; SUZUKI M; SATO H; TAKAHASHI M; OHTOSHI T; UOMI K; TSUJI S

文献

J-GLOBAL ID：200902142006850759 整理番号：96A0473760

Siシャドーマスクを用いる平面内膜厚制御MOVPEで成長させた1.3μmビームエキスパンダ集積化レーザダイオードの広い温度範囲での動作

Wide-Temperature-Range Operation of 1.3-μm Beam Expander-Integrated Laser Diodes Grown by In-Plane Thickness Control MOVPE Using a Silicon Shadow Mask.

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資料名：
巻： 8 号： 4 ページ： 479-481 発行年： 1996年04月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

くし型Siシャドーマスクを用いることで,MOVPEの間に平面...

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半導体レーザ

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