原子層蒸着法で成長させたSi(100)上のHfO<sub>2</sub>の熱安定性と構造特性

CHO M-H; ROH Y S; WHANG C N; JEONG K; NAHM S W; KO D-H; LEE J H; LEE N I; FUJIHARA K

文献

J-GLOBAL ID：200902142065073928 整理番号：02A0628233

原子層蒸着法で成長させたSi(100)上のHfO₂の熱安定性と構造特性

Thermal stability and structural characteristics of HfO₂ films on Si (100) grown by atomic-layer deposition.

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資料名：
巻： 81 号： 3 ページ： 472-474 発行年： 2002年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子層蒸着CVD(ALCVD)でSi(100)上にHfO<s...

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酸化物薄膜

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原子層蒸着法で成長させたSi(100)上のHfO2の熱安定性と構造特性

原子層蒸着法で成長させたSi(100)上のHfO₂の熱安定性と構造特性