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J-GLOBAL ID：200902142125811842   整理番号：01A0398322

超薄(<40nm)Cu膜の膜厚依存電気抵抗率

Thickness dependent electrical resistivity of ultrathin (<40nm) Cu films.

著者 (5件)： LIU H-D (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  ZHAO Y-P (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  RAMANATH G (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  MURARKA S P (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  WANG G-C (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 384  号： 1  ページ： 151-156  発行年： 2001年03月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 膜厚d(約10~40nm)の超薄Cu膜をベース圧5×10<s...

シソーラス用語： *金属薄膜 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu ,  膜厚 ,  電気抵抗率