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J-GLOBAL ID：200902142155937050   整理番号：98A0750659

GaN上のZnOのヘテロエピタクシーとその混成オプトエレクトロニクス素子作製に対する関連性

Heteroepitaxy of ZnO on GaN and its implications for fabrication of hybrid optoelectronic devices.

著者 (9件)： VISPUTE R D (Univ. Maryland, Maryland) ,  TALYANSKY V (Univ. Maryland, Maryland) ,  CHOOPUN S (Univ. Maryland, Maryland) ,  HE M (Howard Univ., Washington, District of Columbia) ,  TANG X (Howard Univ., Washington, District of Columbia) ,  HALPERN J B (Howard Univ., Washington, District of Columbia) ,  LI Y X (Univ. Maryland, Maryland) ,  ILIADIS A A (Univ. Maryland, Maryland) ,  JONES K A (U.S. Army Res. Lab., Maryland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 3  ページ： 348-350  発行年： 1998年07月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜をエピGaN/サファイア(0001)基板上にヘテロ...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ZnO ,  ヘテロエピタクシー ,  オプトエレクトロニクス素子 ,  作製 ,  関連性