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J-GLOBAL ID：200902142158937965   整理番号：94A0801329

(0001),(<span style=text-decoration:overline>1</span>012)及び(10<span style=text-decoration:overline>1</span>0)サファイア表面上における窒化ガリウムのヘテロエピタクシー

Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (<span style=text-decoration:overline>1</span>012) and (10<span style=text-decoration:overline>1</span>10) sapphire surfaces.

著者 (6件)： HWANG J S (Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR) ,  KUZNETSOV A V (Inst. Crystallography, Russian Academy of Sciences, Moscow, SUN) ,  LEE S S (Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR) ,  KIM H S (Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR) ,  CHOI J G (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHONG P J (Korea Research Inst. Chemical Technology, Taejon, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 142  号： 1/2  ページ： 5-14  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga/HCl/NH₃/He系のハライド...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア ,  窒化ガリウム ,  ヘテロエピタクシー