ガスに敏感な半導性Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の電気ドーピング

文献

J-GLOBAL ID：200902142159291910 整理番号：97A0069943

ガスに敏感な半導性Ga₂O₃薄膜の電気ドーピング

Electrical doping of gas-sensitive, semiconducting Ga₂O₃ thin films.

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巻： 34 号： 1/3 ページ： 373-377 発行年： 1996年08月
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Ga₂O₃薄膜の...

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その他の無機化合物の電気伝導

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