Laplace DLTSによるシリコン中の空孔-水素センターのデープレベル

文献

J-GLOBAL ID：200902142179601363 整理番号：00A0164300

Deep levels of vacancy-hydrogen centers in silicon studied by Laplace DLTS.

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資料名：
巻： 273/274 ページ： 167-170 発行年： 1999年12月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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