文献

J-GLOBAL ID：200902142289434004   整理番号：02A0123758

酸化誘起積層欠陥リング近傍の微小酸素析出物の観察とそれらの薄いゲート酸化膜破壊に及ぼす影響

Observation of Micro-Oxygen Precipitates in the Vicinity of the Oxidation-Induced Stacking Fault Ring and Their Effects on Thin Gate Oxide Breakdown.

著者 (8件)： KIM H-S (LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR) ,  LEE K-S (LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR) ,  LEE B-Y (LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR) ,  YOO H-D (LG Siltron Inc., Kyungbuk, KOR) ,  PYI S-H (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR) ,  KOH C-G (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR) ,  HONG B-S (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR) ,  KIM Y-W (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 12A  ページ： L1286-L1289  発行年： 2001年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶に起因する粒子(COP)フリー又はCOPの少ないウエハを...

シソーラス用語： 集積回路 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (12件)：

• 1) J. G. Park and G. A. Rozgonyi: Solid State Phenom. 47/48 (1996) 327.
• 2) J. Ryuta, E. Morita, T. Tanaka and Y. Shimanuki: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L1947.
• 3) H, Yamagishi, I. Fusegawa, K. Takano and E. Iino: Semiconductor Silicon 1994, eds. H. R. Huff, W. Bergholz and K. Sumino (Electrochemical Society, Pennington, 1994) PV 94-10, p. 124.
• 4) S. Sadanitsu, S. Umeno, Y. Koike, T. Hourai, S. Sumita and T. Shingematsu: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L699.
• 5) M. Hourai, H. Nishikawa, T. Tanaka, S. Umeno, E. Asayama, T. Nomachi and G. Kelly: Semiconductor Silicon 1998, eds. H. R. Huff, U. Gosele and H. Tsuya (Electrochemical Society, Pennington, 1999) PV 98-1, p. 453.

タイトルに関連する用語 (10件)： 酸化 ,  誘起 ,  積層欠陥 ,  近傍 ,  微小 ,  酸素 ,  析出物 ,  観察 ,  ゲート酸化膜 ,  破壊