文献
J-GLOBAL ID:200902142313512410
整理番号:94A0154126
水素原子をsurfactantとしたSi上のGeの成長
Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0154126&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}