イオンインプランテーションMOS構造における少数キャリア生成レートを決定するための改良型C(t)手法

SORGE R

文献

J-GLOBAL ID：200902142341642265 整理番号：93A0828836

イオンインプランテーションMOS構造における少数キャリア生成レートを決定するための改良型C(t)手法

Improved C(t) method for generation rate determination in implanted MOS structures.

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資料名：
巻： 29 号： 17 ページ： 1541-1543 発行年： 1993年08月19日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ドーピング分布の知識を必要としないで,MOS構造の少数キャリ...

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