文献

J-GLOBAL ID：200902142524838401   整理番号：99A0333472

応力誘起漏れ電流の非弾性トンネリングの実験的証拠

Experimental Evidence of Inelastic Tunneling in Stress-Induced Leakage Current.

著者 (3件)： TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YASUDA N (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 2  ページ： 335-341  発行年： 1999年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記漏れ電流(SILC)の輸送特性を調べるための新しい実験法...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応力誘起漏れ電流 ,  非弾性 ,  トンネリング ,  実験 ,  証拠