文献
J-GLOBAL ID:200902142532138290
整理番号:99A0369562
テトラメチルシランからのプラズマ支援化学気相蒸着による低誘電率膜
Low dielectric constant films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from tetramethylsilane.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0369562©=1") }}
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0369562&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}