Si(111)面上のInGaN/GaN多重量子井戸ダイオードからの明るい青色エレクトロルミネセンス  AlGaN/GaN多重層の影響

DADGAR A; CHRISTEN J; RIEMANN T; RICHTER S; BLAESING J; DIEZ A; KROST A; ALAM A; HEUKEN M

文献

J-GLOBAL ID：200902142538605671 整理番号：01A0565056

Si(111)面上のInGaN/GaN多重量子井戸ダイオードからの明るい青色エレクトロルミネセンス AlGaN/GaN多重層の影響

Bright blue electroluminescence from an InGaN/GaN multiquantum-well diode on Si(111): Impact of an AlGaN/GaN multilayer.

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資料名：
巻： 78 号： 15 ページ： 2211-2213 発行年： 2001年04月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaN系青色発光ダイオード(LED)に種々の利点をもつSi基...

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半導体のルミネセンス , 発光素子

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