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J-GLOBAL ID：200902142903199971   整理番号：98A0189254

低温におけるシリコン層の転送のための「スマートカット」手法

A “smarter-cut” approach to low temperature silicon layer transfer.

著者 (7件)： TONG Q-Y (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  SCHOLZ R (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE U (Max-Planck-Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  LEE T-H (Duke Univ., NC) ,  HUANG L-J (Duke Univ., NC) ,  CHAO Y-L (Duke Univ., NC) ,  TAN T Y (Duke Univ., NC)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 1  ページ： 49-51  発行年： 1998年01月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si表面層を分離するために先ずSiウエハにB<sup>+<...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： リフトオフ

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  シリコン層 ,  転送 ,  手法