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J-GLOBAL ID：200902143455180063   整理番号：00A0509642

ストラクチャーダイナミックス 基板に拘束された薄膜の高温変形と高い残留応力の存在

High temperature deformation and threshold behavior in thin films restrained by substrates.

著者 (1件)： 小池淳一 (東北大 大学院)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 39  号： 5  ページ： 438-442  発行年： 2000年05月20日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板に拘束されたAl,Cu薄膜の変形に関する最近の結果を...

シソーラス用語： *高温変形 ,...
準シソーラス用語： 転位上昇

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分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (15件)：

• (1) S. B. Desu: J. Electrochem. Soc., 140 (1993), 2981-2987.
• (3) 日野出憲治: 日本金属学会会報, 28 (1989), 40-47.
• (4) 岡林秀和: 応用物理, 59 (1990), 1461-1473.
• (5) K. K. Chin and R. B. Marcus: J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (1990), 3568-3590.
• (6) 近藤正博, 大家和政: NEC技報, 44 (1991), 73-78.

タイトルに関連する用語 (6件)： ストラクチャー ,  ダイナミックス ,  拘束 ,  薄膜 ,  高温変形 ,  残留応力