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J-GLOBAL ID：200902143678169657   整理番号：99A0420079

高密度DRAM量産に適した表面の粗いSiと組み合わせた厚さ1.5nm酸化膜相当のTa2O5高誘電率誘電体

1.5nm Equivalent Thickness Ta2O5 High-k Dielectric with Rugged Si Suited for Mass Production of High Density DRAMs.
著者 (9件)：
ASANO I

ASANO I について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
KUNITOMO M

KUNITOMO M について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
YAMAMOTO S

YAMAMOTO S について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
UEMURA T

UEMURA T について

(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN について

, 
KAWAGOE T

KAWAGOE T について

(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN について

, 
KAWAMURA H

KAWAMURA H について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
KISU T

KISU T について

(Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi ULSI systems Co., Ltd., Tokyo, JPN について

, 
IIJIMA S

IIJIMA S について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
TADAKI Y

TADAKI Y について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1998  ページ： 755-758  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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高誘電率誘電体(Ba,Sr)TiO3が...
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*DRAM

DRAM について

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高密度DRAM

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分類 (3件)：
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  絶縁材料 
(NA04030W)

絶縁材料 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
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量産

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Si

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酸化膜

酸化膜 について

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Ta2O5

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高誘電率

高誘電率 について

, 
誘電体

誘電体 について


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