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J-GLOBAL ID：200902143715518292   整理番号：93A0461975

気相エピタクシーでサファイア上に成長させたGaNのヘテロ構造における熱応力の緩和機構

Relaxation Mechanism of Thermal Stresses in the Heterostructure of GaN Grown on Sapphire by Vapor Phase Epitaxy.

著者 (3件)： HIRAMATSU K (Nagoya Univ., Nagoya) ,  DETCHPROHM T (Nagoya Univ., Nagoya) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32  号： 4  ページ： 1528-1533  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/α-Al₂O<sub>3</s...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...
準シソーラス用語： MOVPE ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 気相エピタクシー ,  サファイア ,  成長 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  熱応力 ,  緩和