GaN中へのCaとOのイオン注入ドーピング

ZOLPER J C; WILSON R G; PEARTON S J; STALL R A

文献

J-GLOBAL ID：200902143960216820 整理番号：96A0366301

GaN中へのCaとOのイオン注入ドーピング

Ca and O ion implantation doping of GaN.

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資料名：
巻： 68 号： 14 ページ： 1945-1947 発行年： 1996年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記イオン注入によりGaNのP型及びN型ドーピングを行った。...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥

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