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J-GLOBAL ID：200902143967376830   整理番号：00A0505305

高温での縮小SONOS不揮発性メモリデバイスの電荷保持

Charge retention of scaled SONOS nonvolatile memory devices at elevated temperatures.

著者 (2件)： YANG Y (Cypress Semiconductor, CA, USA) ,  WHITE M H (Lehigh Univ., PA, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 44  号： 6  ページ： 949-958  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 94Åの実効ゲート酸化膜厚さと15Åのトンネル酸化膜を持つ縮...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： SONOS ,...

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分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 縮小 ,  SONOS ,  不揮発性メモリ ,  電荷保持