InP上への狭いバンドギャップ(~0.6eV)のInGaAsN層の成長と特性評価

GOKHALE M R; WEI J; WANG H; FORREST S R

文献

J-GLOBAL ID：200902144106233776 整理番号：99A0382886

InP上への狭いバンドギャップ(~0.6eV)のInGaAsN層の成長と特性評価

Growth and characterization of small band gap (~0.6eV) InGaAsN layers on InP.

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巻： 74 号： 9 ページ： 1287-1289 発行年： 1999年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高周波プラズマ窒素源を用いた分子ビームエピタクシーによって,...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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