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J-GLOBAL ID：200902144203743339   整理番号：02A0642870

高κゲートスタックのリモート電荷散乱によって低下した有効電子移動度

Effective Electron Mobility Reduced by Remote Charge Scattering in High-κ Gate Stacks.

著者 (4件)： HIRATANI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAITO S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIMAMOTO Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TORII K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 7A  ページ： 4521-4522  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高κスタックにおける移動度低下をリモート効果散乱を基に論じた...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, K. Onishi, L. Kang, Y. Jeon, J. C. Lee, V. Kaushik, B. Y. Neuyen, L. Prabhu, K. Eisenbeiser and J. Finder: Symp. VLSI Technology Tech. Dig., IEEE, Honolulu, 2000, p. 40.
• 2) T. Yamaguchi, H. Satake and N. Fukushima: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., IEEE, Washington D.C., 2001, p. 663.
• 3) Z. J. Luo, T. P. Ma, E. Cartier, M. Copel, T. Tamagawa and B. Halpern: Symp. VLSI Technology Tech. Dig., IEEE, Kyoto, 2001, p. 135.
• 4) S. J. Lee, H. F. Luan, C. H. Lee, T. S. Jeon, W. P. Bai, Y. Senzaki, D. Roberts and D. L. Kwong: Symp. VLSI Technology Tech. Dig., IEEE, Kyoto, 2001, p. 133.
• 5) Y. Kim et al.: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., IEEE, Washington D.C., 2001, p. 455.

タイトルに関連する用語 (5件)： 高 ,  ゲートスタック ,  電荷 ,  散乱 ,  電子移動度