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J-GLOBAL ID：200902144284813190   整理番号：95A0282143

物理気相輸送によって成長させた半絶縁性6H-SiC

Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport.

著者 (8件)： HOBGOOD H M (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  GLASS R C (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  AUGUSTINE G (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  HIPKINS R H (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  JENNY J (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  MITCHEL W C (Wright Lab., Ohio) ,  ROTH M (Wright Lab., Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 11  ページ： 1364-1366  発行年： 1995年03月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深い準位のバナジウム不純物を制御したドープすることにより,半...

シソーラス用語： ドーピング ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 物理 ,  気相 ,  輸送 ,  成長 ,  半絶縁性 ,  6H-SiC