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J-GLOBAL ID：200902144646176690   整理番号：02A0068088

温度勾配をもつ金属溶液からのシリコン薄膜の横方向成長に関する研究

Study on the lateral growth of silicon films from metal solutions with temperature gradient.

著者 (6件)： KITA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WEN C-J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OTOMO J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMADA K (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  KOMIYAMA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 234  号： 1  ページ： 153-158  発行年： 2002年01月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜成長実験および単純化された拡散制御成長計算模型を用いたシ...

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度勾配 ,  溶液 ,  シリコン薄膜 ,  横方向成長 ,  研究