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J-GLOBAL ID：200902144682317551   整理番号：00A0437039

サファイア上にプラズマ誘起分子線エピタクシー法および有機金属化学蒸着法で成長させたGa面およびN面AlGaN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガス

Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-induced molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition on sapphire.

著者 (8件)： DIMITROV R (Cornell Univ., New York) ,  MURPHY M (Cornell Univ., New York) ,  SMART J (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W (Cornell Univ., New York) ,  SHEALY J R (Cornell Univ., New York) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., New York) ,  AMBACHER O (TU Munich, Garching, DEU) ,  STUTZMANN M (TU Munich, Garching, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 7  ページ： 3375-3380  発行年： 2000年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非ドープGaN/Al_xGa<sub>1...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： サファイア ,  プラズマ ,  誘起 ,  分子線エピタクシー法 ,  有機金属化学蒸着法 ,  成長 ,  Ga ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  二次元電子ガス