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J-GLOBAL ID：200902144694034423   整理番号：03A0088357

新しい巨大磁気抵抗薄膜不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)

Novell Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM).

著者 (9件)： ZHUANG W W (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  PAN W (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  HSU S T (Sharp Lab. America, WA, USA) ,  TAJIRI M (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SHIMAOKA A (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SAKIYAMA K (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  WANG Y (Univ. Houston, Texas, USA) ,  LIU S Q (Univ. Houston, Texas, USA) ,  IGNATIEV A (Univ. Houston, Texas, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 193-196  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *巨大磁気抵抗効果 ,...
準シソーラス用語： RRAM

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気抵抗薄膜 ,  不揮発性 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  RRAM