文献

J-GLOBAL ID：200902144694065620   整理番号：97A0572025

W/WN_x/ポリシリコンゲート電極およびTiケイ化ソース/ドレイン拡散を用いた新しい0.15μm CMOS技術

A Novel 0.15μm CMOS Technology using W/WNx/Polysilicon Gate Electrode and Ti Silicided Source/Drain Diffusions.

著者 (9件)： TAKAGI M T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYASHITA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KOYAMA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYANO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIMURA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ISHIUCHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1996  ページ： 455-458  発行年： 1996年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の技術について述べた。この技術によって,シート抵抗1.6...

シソーラス用語： タングステン ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0572025&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ポリシリコン ,  ゲート電極 ,  Ti ,  ケイ化 ,  ソース ,  ドレイン ,  拡散 ,  CMOS技術