無機低温熱化学蒸着により成長させた窒化タンタル膜  銅金属化における拡散バリア特性

KALOYEROS A E; CHEN X; STARK T; KUMAR K; SEO S-C; PETERSON G G; FRISCH H L; ARKLES B; SULLIVAN J

文献

J-GLOBAL ID：200902144962529554 整理番号：99A0262351

無機低温熱化学蒸着により成長させた窒化タンタル膜銅金属化における拡散バリア特性

Tantalum Nitride Films Grown by Inorganic Low Temperature Thermal Chemical Vapor Deposition. Difusion Barrire Properties in Copper Metallization.

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巻： 146 号： 1 ページ： 170-176 発行年： 1999年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Cuベース金属化における拡散バリアとしてのCVD析出窒素リッ...

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その他の無機化合物の薄膜

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無機低温熱化学蒸着により成長させた窒化タンタル膜 銅金属化における拡散バリア特性

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