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J-GLOBAL ID：200902145029071292   整理番号：98A0950509

強誘電体メモリの記憶保持故障に及ぼす電圧シフトの影響

Voltage Shift Effect on Retention Failure in Ferroelectric Memories.

著者 (5件)： NAKAO K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  JUDAI Y (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN) ,  AZUMA M (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  SHIMADA Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  OTSUKI T (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 9B  ページ： 5203-5206  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrBi₂(Ta,Nb)<sub>2<...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： 促進試験 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• 1) J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo: Science 246 (1989) 1400.
• 2) K. Asari, H. Hirano, T. Honda, T. Sumi, M. Takeo, N. Moriwaki, G. Nakane, T. Nakakuma, S. Chaya, T. Mukunoki, Y. Judai, M. Azuma, Y. Shimada and T. Otsuki: IEICE Trans. Electron. E81-C (1998) 488.
• 3) T. D. Hadnagy and D. J. Sheldon: Integr. Ferroelectr. 4 (1994) 217.
• 4) Y. Shimada, M. Azuma, K. Nakao, S. Chaya, N. Moriwaki and T. Otsuki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5912
• 5) T. Mihara, H. Watanabe, C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, M. Scott and L. D. McMillan: Proc. 4th Int. Symp. Integrated Ferroelectrics, Monterey (1992) p. 137.

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体メモリ ,  記憶保持 ,  故障 ,  電圧シフト