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J-GLOBAL ID：200902190150331280   整理番号：97A1019203

SrBi₂(Ta,Nb)₂O₉による強誘電体メモリの保持特性

Retention Characteristics of a Ferroelectric Memory Based on SrBi₂(Ta, Nb)₂O₉.

著者 (6件)： SHIMADA Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  AZUMA M (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  NAKAO K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  CHAYA S (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN) ,  MORIWAKI N (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN) ,  OTSUKI T (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 9B  ページ： 5912-5916  発行年： 1997年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の強誘電体(SBTN)薄膜における分極の劣化を測定し,さ...

シソーラス用語： 層状化合物 ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (16件)：

• 1) T. Mihara, H. Watanabe, C. A. Paz de Araujo, J. Cuchiaro, M. Scott and L. D. McMillan: Proc. 4th Int. Symp. Integr. Ferroelectrics, Monterey, CA (1992) p. 137.
• 2) C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott and J. F. Scott: Nature 374 (1995) 627.
• 3) P. C. Fazan: Integr. Ferroelectr. 4 (1994) 247.
• 4) W. Kinney: Integr. Ferroelectr. 4 (1994) 131.
• 5) N. E. Abt: Proc. 3rd Int. Symp. Integr. Ferroelectrics, Colorado Springs, CO (1991) p. 404.

タイトルに関連する用語 (4件)： Ta ,  Nb ,  強誘電体メモリ ,  保持特性