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J-GLOBAL ID:200902145162178571   整理番号:01A0690540

GaAs-AlGaAsの無ひ素の高温表面浄化における二段階の加熱シーケンス

Two-step-heating sequence in arsenic-free high-temperature surface cleaning method for GaAs-AlGaAs MBE.
著者 (4件):
資料名:
巻: 227/228  ページ: 41-45  発行年: 2001年07月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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分子ビームエピタクシー用の容器内のAsを使わない高温表面浄化...
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分類 (4件):
分類
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試料技術  ,  半導体薄膜  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  トランジスタ 

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