GaAs-AlGaAsの無ひ素の高温表面浄化における二段階の加熱シーケンス

文献

J-GLOBAL ID：200902145162178571 整理番号：01A0690540

Two-step-heating sequence in arsenic-free high-temperature surface cleaning method for GaAs-AlGaAs MBE.

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資料名：
巻： 227/228 ページ： 41-45 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

分子ビームエピタクシー用の容器内のAsを使わない高温表面浄化...

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試料技術 , 半導体薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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