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J-GLOBAL ID：200902145343412452   整理番号：97A0720223

アルミニウムおよび酸化アルミニウム表面エッチング中の炭素リッチ膜の析出

Deposition of Carbon-Rich Film during Etching of Aluminum and Aluminum Oxide Surfaces.

著者 (3件)： TONOTANI J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SAITO S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NISHIMURA E (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 144  号： 6  ページ： 2142-2146  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平行板型マグネトロン反応性イオンエッチング反応器中で,励起し...

シソーラス用語： 超小形回路技術 ,...
準シソーラス用語： メタノール

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  酸化アルミニウム ,  エッチング ,  炭素 ,  析出