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J-GLOBAL ID：200902145380691396   整理番号：94A0852586

急峻でない半導体ヘテロ構造を通過するキャリヤの透過率を計算する新しい解析的方法

A new analytical method for the calculation of the transmission coefficient of carriers through non-abrupt semiconductor heterostructures.

著者 (4件)： DE CARVALHO R R L (Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA) ,  FREIRE V N (Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA) ,  AUTO M M (Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA) ,  FARIAS G A (Univ. Federal do Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, Cear<span style=text-decoration:overline>a ́</span>, BRA)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 14  号： 2/3  ページ： 221-226  発行年： 1993年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急峻でない界面がある半導体ヘテロ構造を通過するキャリヤの透過...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  キャリヤ ,  透過率 ,  計算 ,  解析