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J-GLOBAL ID:200902145518168940   整理番号:99A0497688

極めて低い温度での電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学蒸着と高速熱処理によって調製したRu底電極上の(Ba,Sr)TiO3膜の電気特性

Electrical Properties of (Ba, Sr)TiO3 Films on Ru Bottom Electrodes Prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition at Extremely Low Temperature and Rapid Thermal Annealing.
著者 (7件):
資料名:
巻: 38  号: 4B  ページ: 2200-2204  発行年: 1999年04月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
引用文献 (14件):
  • (1) K. Koyama, T. Sakuma, S. Yamamichi, H. Watanabe, H. Aoki, S. Ohya, Y. Miyasaka and T. Kikkawa: 1991 Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. Washington, 1991 (IEEE, New York, 1991) p. 823.
  • (2) T. Eimori, Y. Ohno, H. Kimura, J. Matsufusa, S. Kishimura, A. Yoshida, H. Sumitani, T. Maruyama, Y. Hayahide, K. Morizumi, T. Katayama, M. Asakura, T. Horikawa, T. Shibano, H. Itoh, K. Sato, K. Namba, T. Nishimura, S. Satoh and H. Miyoshi: 1993 Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. Washington, 1993 (IEEE, New York, 1993) p. 153.
  • (3) A. Yuuki, M. Yamamuka, T. Makita, T. Horikawa, T. Shubano, M. Hirano, H. Maeda, N. Mikami, K. Ono, H. Ogata and H. Abe: 1995 Int. Electron. Device Meet. Tech. Dig. 1995 (IEEE, New York, 1995) p. 115.
  • (4) H. Yamaguchi, T. Iizuka, H. Koga, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, M. Suzuki, Y. Kojima, K. Nakajima, N. Kasai, T. Sakuma, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and S. Nishimoto: 1996 Int. Electron. Device Meet. Tech. Dig. 1996 (IEEE, New York, 1996) p. 675.
  • (5) Y. Kohyama, T.Ozaki, S. Yoshida, Y. Ishibashi, H. Nitta, S. Inoue, K. Nakamura, T. Aoyama, K. Imai and N. Hayasaka: 1997 Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Pap. 1997, p. 17.
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