水素化アモルファスシリコンにおける電子スピン共鳴と定光電流法による欠陥密度の関係

文献

J-GLOBAL ID：200902145529961723 整理番号：01A0486626

Relation between Electron-Spin-Resonance and Constant-Photocurrent-Method Defect Densities in Hydrogenated Amorphous Silicon.

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資料名：
巻： 40 号： 1 ページ： 54-58 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

a-Si:H中の電子スピン共鳴および定光電流法により評価され...

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非晶質半導体の構造 , 金属・半導体のEPR , 光伝導,光起電力

引用文献 (13件)：

1) R. A. Street: Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1991).
2) T. Shimizu, H. Kidoh, A. Morimoto and M. Kumeda: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 586.
3) N. Hata, I. S. Osbourne, T. Ikeda, R. Durny and A. Matsuda: J. Non-Cryst. Solids 198-200 (1996) 415.
4) M. Kumeda, J. H. Zhou and T. Shimizu: 1994 First World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, IEEE, 1994, p. 634.
5) T. Shimizu, H. Sugiyama and M. Kumeda: Sol. Energy Mater. & Sol. Cells <b>66</b> (2000) 203.

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