InGaNエピ層の局在状態によるルミネセンス

CHICHIBU S; AZUHATA T; SOTA T; NAKAMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902145607676968 整理番号：97A0581765

InGaNエピ層の局在状態によるルミネセンス

Luminescences from localized states in InGaN epilayers.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0581765&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0581765&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 70 号： 21 ページ： 2822-2824 発行年： 1997年05月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

市販の発光ダイオード素子とそのウエハを利用してバルク三次元I...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0581765&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体のルミネセンス

, , ,

前のページに戻る