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J-GLOBAL ID：200902145902729593   整理番号：99A0297053

SiO2またはガラス基板にLPCVD蒸着させた非晶質SiGe膜の固相結晶化

Solid-phase crystallization of amorphous SiGe films deposited by LPCVD on SiO2 and glass.
著者 (6件)：
OLIVARES J

OLIVARES J について

(E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP)

E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP について

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RODRIGUEZ A

RODRIGUEZ A について

(E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP)

E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP について

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SANGRADOR J

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(E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP)

E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP について

, 
RODRIGUEZ T

RODRIGUEZ T について

(E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP)

E.T.S.I. de Telecomunicacion, Madrid, ESP について

, 
BALLESTEROS C

BALLESTEROS C について

(Univ. Carlos III, Madrid, ESP)

Univ. Carlos III, Madrid, ESP について

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KLING A

KLING A について

(Univ. Lisboa, Lisboa, PRT)

Univ. Lisboa, Lisboa, PRT について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 337  号： 1/2  ページ： 51-54  発行年： 1999年01月11日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Ge分率(x)が0~0.42の標記SiGeの固相結晶化で多結...
シソーラス用語：
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*薄膜成長

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Avramiの式

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分類 (1件)：
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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タイトルに関連する用語 (6件)：
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蒸着

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固相

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結晶化

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