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J-GLOBAL ID：200902145921545894   整理番号：02A0667224

Si(100)上にナノラミネートしたAl₂O₃-HfO₂の誘電特性

Dielectric characteristics of Al₂O₃-HfO₂ nanolaminates on Si(100).

著者 (9件)： CHO M-H (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  ROH Y S (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG K (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI H J (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  NAM S W (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KO D-H (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE J H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  LEE N I (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  FUJIHARA K (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 6  ページ： 1071-1073  発行年： 2002年08月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積法により標記の多層構造によるゲート絶縁膜を堆積し,...

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： 蓄積容量 ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノラミネート ,  Al2O3 ,  HfO2 ,  誘電特性