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J-GLOBAL ID：200902145947839977   整理番号：96A0797041

大容量記憶装置用3.3V・128Mb多値NANDフラッシュメモリ

TP 2.1: A 3.3V 128Mb Multi-Level NAND Flash Memory for Mass Storage Applications.

著者 (9件)： JUNG T-S (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  CHOI Y-J (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  SUH K-D (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  KIM J-K (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  LIM Y-H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  KOH Y-N (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  KIM J-R (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  LEE J-H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR) ,  LIM H-K (Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 39  ページ： 32-33,412  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速ランダムアクセスを犠牲にして大容量低コスト,高シリアルア...

シソーラス用語： 大容量メモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大容量記憶装置 ,  多値 ,  NANDフラッシュメモリ