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J-GLOBAL ID:200902145947839977   整理番号:96A0797041

大容量記憶装置用3.3V・128Mb多値NANDフラッシュメモリ

TP 2.1: A 3.3V 128Mb Multi-Level NAND Flash Memory for Mass Storage Applications.
著者 (9件):
資料名:
巻: 39  ページ: 32-33,412  発行年: 1996年02月 
JST資料番号: D0753A  ISSN: 0193-6530  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高速ランダムアクセスを犠牲にして大容量低コスト,高シリアルア...
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分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  記憶装置 
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