文献

J-GLOBAL ID：200902146003338041   整理番号：01A0835760

プラズマ増強化学蒸着により作製した超低k誘電体

Ultralow-k dielectrics prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

著者 (2件)： GRILL A (IBM Res. Div., New York) ,  PATEL V (IBM Res. Div., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 6  ページ： 803-805  発行年： 2001年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低誘電定数を持つ炭素をドープした酸化物材料(SiCOH薄膜...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0835760&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  作製 ,  低k誘電体