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J-GLOBAL ID:200902146027500133   整理番号:02A0754341

太陽電池用窒化シリコンの高密度誘導結合プラズマ化学蒸着

High-density inductively coupled plasma chemical vapor deposition of silicon nitride for solar cell application.
著者 (9件):
資料名:
巻: 74  号: 1/4  ページ: 97-105  発行年: 2002年10月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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窒化シリコン膜をプレーナコイル反応器中で高密度誘導結合プラズ...
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