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J-GLOBAL ID：200902146058590718   整理番号：99A0549356

連続帯状態の存在に基づいたInGaAs/GaAs自己形成量子ドットの効率が良いキャリア緩和機構

Efficient Carrier Relaxation Mechanism in InGaAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots Based on the Existence of Continuum States.

著者 (4件)： TODA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MORIWAKI O (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIOKA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 82  号： 20  ページ： 4114-4117  発行年： 1999年05月17日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近接場及び遠隔場の光ルミネセンス励起(PLE)スペクトルを比...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 近視野

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  GaAs ,  自己形成 ,  量子ドット ,  キャリア緩和