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J-GLOBAL ID：200902146635855785   整理番号：97A0627293

光熱及び光ルミネセンスヘテロダイン法の結合測定によるシリコン表面下損傷の解析

Analysis of subsurface damage in silicon by a combined photothermal and photoluminescence heterodyne measurement.

著者 (6件)： GEILER H D (JenaWave Engineering and Consulting, Jena, DEU) ,  KARGE H (JenaWave Engineering and Consulting, Jena, DEU) ,  WAGNER M (JenaWave Engineering and Consulting, Jena, DEU) ,  EHLERT A (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  KERSTAN M (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU) ,  HELMREICH D (Wacker Siltronic AG, Burghausen, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 81  号： 11  ページ： 7548-7551  発行年： 1997年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の欠陥解析用に5kHzから12MHzに渡る周波数領域の...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光ルミネセンス ,  ヘテロダイン法 ,  シリコン ,  損傷 ,  解析